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CVD法制备B-C体系材料

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编号 zgly0001330113

文献类型 期刊论文

文献题名 CVD法制备B-C体系材料

作者 杨文彬  张立同  成来飞  刘永胜  徐永东 

作者单位 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室  西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 西安710072  西安710072 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2007年05期

年份 2007 

分类号 TB304 

关键词 CVD  沉积温度  B-C体系材料  微结构  XPS 

文摘内容 以BCl3-C3H6-H2为反应体系,采用化学气相沉积法(CVD)在炭纤维束上制备了B-C体系材料,研究了沉积温度的影响。利用SEM和XPS对BCx层的微结构、元素含量和化学结构进行表征,并结合化学反应过程,探讨了导致沉积产物形貌、成分和键结合状态的差异原因。结果表明,沉积温度对B-C层生长速率和断面形貌均有较大影响:900℃沉积时,沉积较慢,断面平整;1000℃时,沉积速度加快,断面呈显著片层状结构;B-C层内B元素原子含量随沉积温度升高而降低;沉积产物内B元素键结合状态有:B4C、B替代C、BC2O、BCO2和B2O3。沉积温度不仅影响B元素键结合状态,而且还影响各结合状态的含量。B4C在900℃时含量为0,在1000℃时达到最大值32.5 at%;B替代C在900℃时含量最高,然后随温度升高而下降,在1050℃时其含量又有所升高。

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